TSMCN7 +（7納米加7nm+） - 芯片現在已商業化，大量可用。那報導了台灣合同製造商最近，他本人並聲稱是全球第一個以大型紫外線（EUV）形式使用的製造商。
在客戶中，還可以使用AMD，該AMD已經正式宣布，即將推出的Zen 3芯片Alis Epyc Milan和下一代Ryzen的7nm+程序。
光刻學
多年來，它已經到了沉浸也稱為193 nm石版畫，用於所有主要的芯片教練。以193 nm的波長，現代的7 nm芯片，例如AMDSRyzen 3000，Threadripper 3000，Epyc Rome和Radeon RX 5000為了能夠製造，使用了SO的多個結構化。
簡而言之，結構相互應用，以避免光源的物理限制並在193 nm波長以下實現結構寬度。
但是，由於當前的結構寬度為7 nm（Ryzen 3000，RX 5000），已經達到了一個極限，使用此類方法幾乎無法降低限制。
使用ASML Twinscan NXE 3400B，可以實現7nm和5nm的結構寬度。 （來源：ASML）
Daher Hat Die國際技術路線圖（ITRS）DIEeuv-Lotighography作為不久的將來的關鍵技術，電磁波僅長度13,5納米用途。
諸如三星和TSMC之類的芯片製造商長期以來一直從事歐盟光刻程序。但是，轉換非常複雜且昂貴，因為用於芯片生產的照片油漆和激光光學器件不再可用於暴露晶片，因此必須開發新的方法。
7納米和已經有利可圖的
TSMC顯然已經部分完成了此更改。根據自己的陳述，N7+過程中的批量生產即使是公司歷史上最快的最快之一。
芯片產量甚至處於原始7 nm程序的水平，第一個也是萊登七世被使用。
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EUV光刻將結構還原的極限進一步移動。 （圖像來源：台灣半導體製造有限公司）
與7-nm的過程相比，N7+也應該使用相同的結構寬晶體管15％和20％的詩人包裝，提高能源效率 - 為工業買家購買的明顯原因。
但是，7nm+僅標誌著進一步減少結構的前奏。因此6 nm程序早在2020年的第一季度，大規模生產到2020年底。
以及發展的發展5納米- 和3-nm- 據說TSMC的技術技術非常先進 - 根據較早的公告，N5的系列作品甚至應該在2020年初開始N6之前開始。
三星被切碎了嗎？
三星還在euv石版畫上進行大量工作。在照片中，您可以在韓國看到5-nm-EUV系統。
有趣的：直到最近確認NVIDIA，在2020年上半年可能已經預期的很大一部分安培-GPU要在其7 nm-EUV程序中製造三星。
到目前為止，即使Pascal GPU的部分地區（GTX 1000）已經在韓國生產了TSMC的最忠誠和最古老的合作夥伴之一。
因此，懷疑三星必須比TSMC提出明顯更好的報價，或者在技術上更先進 - 但最新的公告現在正在提出有關NVIDIA決策的新問題。